Ga2O3器件加工（Dlmu-FS-20240977）單一來源公示

發(fā)布時(shí)間： 2024-12-13

發(fā)布時(shí)間	2024-12-13	截止日期	立即查看
聯(lián)系人	立即查看	聯(lián)系電話	立即查看
項(xiàng)目地址	立即查看	設(shè)備詞	立即查看
中標(biāo)機(jī)構(gòu)/單位	立即查看	中標(biāo)人名稱	立即查看
中標(biāo)金額	立即查看	網(wǎng)址	立即查看

下文中****為隱藏內(nèi)容，僅對中項(xiàng)網(wǎng)會員用戶開放，?【注冊 / 登錄】?后可查看內(nèi)容詳情

中標(biāo)公告詳情

項(xiàng)目編號***Ga2O3器件加工公示時(shí)間：******月***日- ******月***日擬成交單位：中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所采購預(yù)算：***元采購內(nèi)容：方案一工藝: 清洗:標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗 PECVD:采用PECVD技術(shù)積300nm的SiO2 陰極金屬金屬沉積:電子束蒸發(fā)工藝Ti/Au(5/100nm)，工作真空:5E-4Pa 刻蝕：SiO2場板介質(zhì)的光刻與刻蝕肖特基預(yù)處理A.清洗：B.過刻蝕后處理：C.預(yù)處理：最后在400℃下進(jìn)行5min的O2處理 ALD:利用ALD生長5nm的TiN作為氧化鎵與肖特基金屬之間的夾層陽極金屬金屬沉積:電子束蒸發(fā)工藝Cu/Au(100/200nm)，工作真空:5E-4Pa 退火:器件制備完成后，在N2氣氛下，退火溫度為300℃、400℃、500℃，退火的時(shí)間為***分鐘，退火結(jié)束后待樣品冷卻后取出，防止樣品被熱氧化劃片:將四吋氧化鎵品圓切割成8mmx8mm的小片方案二工藝: 清洗:標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗 PECVD:采用PECVD技術(shù)積300nm的SiO2 陰極金屬金屬沉積:電子束蒸發(fā)工藝Ti/Au(5/100nm)，工作真空:5E-4Pa 刻蝕：SiO2場板介質(zhì)的光刻與刻蝕肖特基預(yù)處理A.清洗：B.過刻蝕后處理：C.預(yù)處理：最后在400℃下進(jìn)行5min的O2處理。 ALD:利用ALD生長5nm的TiN作為氧化鎵與肖特基金屬之間的夾層陽極金屬金屬沉積:電子束蒸發(fā)工藝Ni/Au(100/200nm)，工作真空:5E-4Pa 退火:器件制備完成后，在N2氣氛下，退火溫度為300℃、400℃、500℃，退火的時(shí)間為***分鐘，退火結(jié)束后待樣品冷卻后取出，防止樣品被熱氧化劃片:將四吋氧化鎵品圓切割成8mmx8mm的小片方案三工藝: 清洗:標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗 PECVD:采用PECVD技術(shù)積300nm的SiO2 陰極金屬金屬沉積:電子束蒸發(fā)工藝Ti/Au(5/100nm)，工作真空:5E-4Pa 刻蝕：SiO2場板介質(zhì)的光刻與刻蝕肖特基預(yù)處理A.清洗：B.過刻蝕后處理：C.預(yù)處理：最后在400℃下進(jìn)行5min的O2處理。 ALD:利用ALD生長5nm的TiO2作為氧化鎵與肖特基金屬之間的夾層陽極金屬金屬沉積:電子束蒸發(fā)工藝Cu/Au(100/200nm)，工作真空:5E-4Pa 退火:器件制備完成后，在N2氣氛下，退火溫度為300℃、400℃、500℃，退火的時(shí)間為***分鐘，退火結(jié)束后待樣品冷卻后取出，防止樣品被熱氧化劃片:將四吋氧化鎵品圓切割成8mmx8mm的小片方案四工藝: 清洗:標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗 PECVD:采用PECVD技術(shù)積300nm的SiO2 陰極金屬金屬沉積:電子束蒸發(fā)工藝Ti/Au(5/100nm)，工作真空:5E-4Pa 刻蝕：SiO2場板介質(zhì)的光刻與刻蝕肖特基預(yù)處理A.清洗：B.過刻蝕后處理：C.預(yù)處理：最后在400℃下進(jìn)行5min的O2處理 ALD:利用ALD生長5nm的TiO2作為氧化鎵與肖特基金屬之間的夾層陽極金屬金屬沉積:電子束蒸發(fā)工藝Ni/Au(100/200nm)，工作真空:5E-4Pa 退火:器件制備完成后，在N2氣氛下，退火溫度為300℃、400℃、500℃，退火的時(shí)間為***分鐘，退火結(jié)束后待樣品冷卻后取出，防止樣品被熱氧化劃片:將四吋氧化鎵品圓切割成8mmx8mm的小片第一次測試內(nèi)容：選擇測試的電極尺寸：425μm，5個(gè)電極最中間的那個(gè) IV BV （1）結(jié)構(gòu):Cu/Cr/Au （2）結(jié)構(gòu):Cr/Cu/Cr/Au （3）結(jié)構(gòu):Al2O3/Cu/Cr/Au 第二次后續(xù)重新退火+電學(xué)測試： A.退火：選擇之前三個(gè)結(jié)構(gòu)中100℃退火的樣品片重新進(jìn)行氮?dú)鈿夥障?50℃快速熱退火。 B.電學(xué)測試：（1）對Cu/Cr/Au和Al2O3/Cu/Cr/Au兩種結(jié)構(gòu)中未退火的樣品片，選擇425μm尺寸的電極進(jìn)行IV，BV測試。（2）對Cu/Cr/Au和Al2O3/Cu/Cr/Au兩個(gè)結(jié)構(gòu)中重新進(jìn)行450℃快速熱退火的兩個(gè)樣品，選擇425μm尺寸的電極進(jìn)行IV，BV測試。單一來源理由：本次采購的氧化鎵器件加工，需要將4吋的氧化鎵晶圓切割成8×8mm的方形小片，并在此基礎(chǔ)上利用8×8mm的氧化鎵小片為襯底制備氧化鎵功率器件。器件的加工需要在超高真空下進(jìn)行，同時(shí)需要采用PECVD生長300nm厚SiO2并按照版圖進(jìn)行光刻，采用ALD生長5nm的TiN或TiO2薄膜，采用電子束蒸發(fā)方法來沉積Cu/Au或Ni/Au，而且加工時(shí)需要適當(dāng)?shù)幕訜釡囟?，加工過程需要特定的綜合工藝制備方案。另外根據(jù)圖形化需求，需要加工單位***。經(jīng)調(diào)研，中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所（蘇納所）的納米加工平臺長期從事半導(dǎo)體材料與器件、工藝相關(guān)研究，并且在氧化鎵制備中發(fā)表多篇高水平論文和申請相關(guān)專利多項(xiàng)，具備豐富的工藝開發(fā)和整合經(jīng)驗(yàn)，適于承接該類研發(fā)器件代工工藝技術(shù)支持與搭載流片服務(wù)（特別適合于具有實(shí)驗(yàn)性質(zhì)的器件加工）。因此，蘇納所的加工平臺是目前唯一能夠滿足本次器件加工要求并愿意提供加工服務(wù)的單位。擬采用校內(nèi)單一來源方式采購論證小組成員：曹菲,宋延興,張維有關(guān)單位***，應(yīng)在公示期內(nèi)以書面形式向大連海事大學(xué)招投標(biāo)與采購中心反映。聯(lián)系人：*** 聯(lián)系電話：*** 國有資產(chǎn)與實(shí)驗(yàn)室管理處招投標(biāo)與采購中心

立即登錄還不是會員？立即免費(fèi)注冊

24小時(shí)咨詢熱線: 400-816-1360

標(biāo)簽：招標(biāo)信息招標(biāo)采購

上一篇：2025年“學(xué)習(xí)強(qiáng)國”安慶學(xué)習(xí)平臺運(yùn)維費(fèi)—委托業(yè)務(wù)費(fèi)單一來源公示
下一篇：廣西南南鋁加工有限公司打包帶詢價(jià)文件成交結(jié)果公告

搡老熟女老女人一区二区,欧美囗交xx×bbb视频,欧美s码亚洲码精品m码,色老二导航,欧美交换配乱吟粗大

Ga2O3器件加工（Dlmu-FS-20240977）單一來源公示

中標(biāo)公告詳情

最新中標(biāo)公告推薦

最新項(xiàng)目資訊推薦

最新免費(fèi)招標(biāo)信息推薦